Новые разработки ученных в области информационных технологий позволяют допустить увеличение максимального количества циклов перезаписи в отделе флэш-памяти с десяти тысяч до ста миллионов. Дата выхода этой разработки на рынки продаж пока скрывается.

Ученые, представляющие компанию Macronix, расположенную в Синьчжу, недалеко от Тайваня, придумали новейшую разработку, которая избавит флеш-память от эффектов устаревания.

Именно этот эффект считается одним из существенных изъянов флеш-памяти, который мешает массовому распространению. Бесконечное действие с ячейками делает их устаревшими, и понимание логического состояния становится проблемой. Современная флеш-память теряет возможность держать информацию, в защищенном виде спустя десять тысяч циклов перезаписывания.

Поставив перед собой цель, увеличить работоспособность устройств, поддерживающих флеш-память, ученые первым делом рассмотрели типы памяти, основанные на начальной стадии веществ. Ячейки меняли проходимости при нагревании. Эксперты обнаружили, что этот процесс также может влиять и на восстановление.

Если подумать, что такой частый нагрев флеш-памяти необходим, то появляется вопрос как скоро разрядится батарея, если эту памяти занести в ноутбук или любое другое портативное устройство? Однако представители говорят, что беспокойства ни к чему, так как чипы нагревать нужно не часто. Также ученные выявили, что любое действие над флеш-памятью увеличивает скорости стирания информации в ячейках.

Результаты своих исследований тайваньские ученные из Macronix`а скорее всего презентуют на IEEE International Electron Devices Meeting.